Memoria RAM DDR4 Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 32001RX8 8GB PC4

Factor de forma 260 pines SODIMM Capacidad total: 8 GB (1 unidad de 8 GB) Especificaciones DDR4 PC4-3200AA-SE1-11 CL=22 sin búfer DDR4-3200 1.2 V Velocidad: 3200 MHz Voltaje: 1,2 V, tipo DIMM sin búfer, no ECC Características: Fuente de alimentación: VDD=1.2V (1.14V a 1.26V) VDDQ = 1,2 V (1,14 V a 1,26 V). VPP: 2,5 V (2,375 V a 2,75 V). VDDSPD = 2,25 V a 3,6 V. Funcionalidad y operaciones cumplen con la hoja de datos DDR4 SDRAM 16 bancos internos Se aplica la agrupación bancaria, y CAS a la latencia CAS (tCCD_L, tCCD_S) para los bancos de los mismos accesos de grupos bancarios o diferentes están disponibles Tasa de transferencia de datos: PC4-3200, PC4-2933, PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600 Estroboscópico de datos diferenciales bidireccionales 8 pedazos pre-obetch Interruptor de longitud de ráfaga (BL) sobre la marcha BL8 o BC4 (Burst Chop) Soporta corrección y detección de errores ECC Terminación en la matriz (ODT) Sensor de temperatura con SPD integrado para ECC SODIMM Este producto cumple con la directiva RoHS. Se admite la direccionabilidad por DRAM La generación interna del nivel de Vref DQ está disponible