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Descripción
-Chasis de aleación de aluminio ultra compacto de alta densidad
-Actualización opcional del puerto BTR ™ al receptor Bluetooth
-Chipset IR clase D con salida de potencia DirectFET Mosfet
-Potencia RMS puenteada de 250W X 2 @ 2?, 200W X 2 @ 4?, 500 X 1 @ 4?
-Cruce: 40Hz-400Hz (LP / HP)
-Respuesta de frecuencia: 10Hz-33KHz
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